記憶體模組
成立於2008年，我們集團公司在OEM快閃記憶體領域已有近15年的歷史，OEM DRAM Module，OEM SSD，OEM USB FLASH DRIVE，OEM TF CARD，作為專業的OEM快閃供應商，我們專注於為各大品牌客戶提供服務，主要貿易商和國家經銷商。為了更好地支持貿易商和國家經銷商，我們在香港和深圳都有定期現貨，我們每月銷售超過100萬件。
我們主要支援DDR3、DDR4給同時做SSD業務的客戶、品牌客戶或電腦廠，我們還有LPDDR，目前只支援中國內地主要手機和IPAD客戶以及部分智慧手錶客戶。憑藉其高性能和低功耗，非常適合小尺寸智慧設備。
Dram/LPDDR技術參數：
產品類別 | 規格 / | 密度 | 包裹 | 操作 |
動態隨機存取記憶體 | 記憶體D3 | 2Gb / 4Gb | FBGA 96 球 | 25度~85度 |
記憶體D4 | 4Gb / 8Gb | FBGA 96 球 | ||
記憶體模組 | U型記憶體模組 | 4GB/8GB/16GB/32GB | / | 0 度 - 85 度 |
SO-DIMM | ||||
R-DIMM | 8GB/16GB/32GB | / | 0 度 - 85 度 | |
LPDDR | LP DDR4 | 2GB / 3GB / 4GB / 6GB / 8GB | 200球 | 0 度 - 70 度 |
規格：
產品型號 | 規格 | 密度 | 方面 | 包裹 |
DRAM U-DIMM | 8GB X8/X16 | 8GB | 7.5×13.3毫米 | 78球/96球 |
DRAM U-DIMM | 16GB X8/X16 | 16 GB | 10.3×11毫米 | 78球/96球 |
DRAM U-DIMM | 32GB X8/X16 | 32GB | 10.3×11毫米 | 78球/96球 |
可用模組：
零件編號 1) | 密度 | 組織 | 組件構成 | 數量 | 高度 |
4GB UDIMM | 4GB | 512Mx64 | 512Mx16*4 | 1 | 31.25毫米 |
8GB UDIMM | 8GB | 1Gx64 | 1Gx8*8 | 1 | 31.25毫米 |
16GB UDIMM | 16 GB | 2Gx64 | 1Gx8*16 | 2 | 31.25毫米 |
4GB SODIMM | 4GB | 512Mx64 | 512Mx16*4 | 1 | 30毫米 |
8GB SODIMM | 8GB | 1Gx64 | 1Gx8*8 | 1 | 30毫米 |
16GB SODIMM | 16 GB | 2Gx64 | 1Gx8*16 | 2 | 30毫米 |
筆記：
1) (2133Mbps 15-15-15) / (2400Mbps 17-17-17) / (2666Mbps 19-19-19) / (3200Mbps 22-22-22) / (3200Mbps 16-18-18) - DDRps 22-22-22) / (3200Mbps 16-18-18) - DDRps {{ 12}}(3200Mbps 16-18-18) 向後相容於較低頻率。
主要特點
速度 | DDR4-2133 | DDR4-2400 | DDR4-2666 | DDR4-3200 | DDR4-3200 | DDR4-3200 | 單元 |
15-15-15 | 17-17-17 | 19-19-19 | 22-22-22 | 19-19-19 | 16-18-18 | ||
tCK(分鐘) | 0.938 | 0.833 | 0.75 | 0.625 | 0.625 | 0.625 | 奈秒 |
CAS 延遲 | 15 | 17 | 19 | 22 | 19 | 16 | 肌酸激酶 |
tRCD(分鐘) | 14.06 | 14.16 | 14.25 | 13.75 | 11.875 | 11.25 | 奈秒 |
tRP（分鐘） | 14.06 | 14.16 | 14.25 | 13.75 | 11.875 | 11.25 | 奈秒 |
tRAS（分鐘） | 33 | 32 | 32 | 32.5 | 30.0 | 22.5 | 奈秒 |
持續時間（分鐘） | 47.06 | 46.16 | 46.25 | 46.25 | 41.875 | 33.75 | 奈秒 |
●JEDEC標準1.2V±0.06V電源
●VDDQ= 1.2V ± 0.06 V
●1067MHz fCK2133Mb/秒/針，1200MHz fCK適用於 2400Mb/秒/腳 1333MHz fCK 適用於 2666Mb/秒/腳，1600MHz fCK 適用於 3200Mb/秒/腳
●16家銀行（4家銀行集團）
●可程式CAS延遲：10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22
●可程式附加延遲（發佈的 CAS）：0、CL - 2 或 CL - 1 時鐘
●可程式CAS 寫入延遲(CWL)=11,14 (DDR4-2133)、12,16 (DDR4-2400) 與14,18 (DDR4- 2666) •突發長度：8、4，帶 tCCD=4，不允許無縫讀取或寫入 [使用 A12 或 MRS 進行即時讀取]
●雙向差分資料選通
●使用 ODT 接腳進行片上端接
●平均刷新週期 低於 TCASE 85°C 時為 7.8us，85°C < TCASE ≤ 95°C 時為 3.9us
●非同步復位
功能框圖：
4GB,512M x 64Module（填滿為 1rank x16DDR4 SDRAM）
筆記 ：
1) 除非另有說明，電阻值為 150Ω 5 %。
2) ZQ 電阻為 2400Ω 1%。對於所有其他電阻值，請參閱對應的接線圖。
8GB，1Gx64Module（填滿為 1rank x 8DDR4 SDRAM）
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